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随着半导体技术7nm以内，EUV光刻机是世界上唯一必不可少的关键设备ASML现在公司可以生产NA 0.33孔径的EUV光刻机售价高达1.5亿美元，约10亿台，但下一代会更贵。
光刻机制造芯片的关键指标是光刻分辨率，其中镜头NA数值孔径越大越好。NA 0.33孔径的EUV能量产3台光刻机nm、2nm工艺，以后需要NA 0.下一代光刻机，即55孔径，即High NA EUV，制造2nm必须使用以下工艺。
High NA EUV预计明年将向客户提供出样机Intel先下手为强，抢购第一批High NA EUV据说光刻机单价超过3.4亿美元，约合25亿美元。
但High NA EUV最终价格不确定，未来可能达到4亿美元，超过28亿人民币。
High NA EUV由于功耗会继续上升，光刻机本身不仅昂贵，而且使用成本也会越来越高，ASML最近证实High NA EUV额外消耗0光刻机会.5WM功耗，加上目前的1.5MW下一代光刻机的总功耗将达到2MW，也就是200万瓦的水平。
如果每天24小时运行，下一代光刻机每天消耗4.8万度电，这对芯片制造商来说是非常高的，绝对是电老虎。
